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IRLMS5703TRPBF
0.173
IRLMS5703TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRLMS5703TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-23-6
额定功率
1.7 W
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.2 Ω
极性
P-Channel
功耗
1.7 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
2.3A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
170pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.7 W
下降时间
8.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.7W (Ta)

IRLMS5703TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.75 mm
高度
1.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLMS5703TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.2 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.24 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.07 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.15 MByte

IRLMS5703 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLMS5703TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
IRLMS5703TR P沟道MOS场效应管 -2.3A 400毫欧 SOT-163 marking/标记 2D7U 低导通电阻 第五代技术
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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