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IRLMS6702TR
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IRLMS6702TR 数据手册 (8 页)
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IRLMS6702TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-6
极性
P-CH
功耗
1.7W (Ta)
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.4A
输入电容值(Ciss)
210pF @15V(Vds)
耗散功率(Max)
1.7W (Ta)

IRLMS6702TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLMS6702TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.19 MByte

IRLMS6702 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLMS6702TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 2.4 A, -20 V, 200 mohm, -4.5 V, -700 mV
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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