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IRLMS6802TRPBF
0.179
IRLMS6802TRPBF 数据手册 (6 页)
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IRLMS6802TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SOT-23-6
额定功率
2 W
通道数
1 Channel
漏源极电阻
50 mΩ
极性
P-CH
功耗
2 W
输入电容
1079 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
5.6A
上升时间
33 ns
输入电容值(Ciss)
1079pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
72 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Ta)

IRLMS6802TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3 mm
宽度
1.5 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLMS6802TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 1.08 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.07 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.15 MByte

IRLMS6802 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
P沟道 20V 5.6A
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V
International Rectifier(国际整流器)
IRLMS6802TR P沟道MOS场效应管 -20V -5.6A 100毫欧 SOT-163 marking/标记 2EO/E5 低导通电阻 第五代技术
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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