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IRLR024NTRL
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IRLR024NTRL 数据手册 (11 页)
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IRLR024NTRL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
17.0 A
封装
DPAK-252
功耗
45 W
零部件系列
IRLR024N
漏源极电压(Vds)
55.0 V
连续漏极电流(Ids)
17.0 A
上升时间
74.0 ns

IRLR024NTRL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

IRLR024NTRL 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.3 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.15 MByte

IRLR024 数据手册

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VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Infineon(英飞凌)
Samsung(三星)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.065 ohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR024NTRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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