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IRLR2705TRPBF
0.177
IRLR2705TRPBF 数据手册 (11 页)
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IRLR2705TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
68 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.04 Ω
极性
N-Channel
功耗
68 W
阈值电压
2 V
输入电容
880 pF
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
28A
上升时间
100 ns
输入电容值(Ciss)
880pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
68 W
下降时间
29 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
68W (Tc)

IRLR2705TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLR2705TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.15 MByte

IRLR2705 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
HEXFET功率MOSFET HEXFET POWER MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR2705TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 55 V, 0.04 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 55 V 68 W 25 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AA
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 55V 28A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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