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IRLR2905TRLPBF
0.507
IRLR2905TRLPBF 数据手册 (11 页)
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IRLR2905TRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.027 Ω
极性
N-Channel
功耗
110 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
42A
上升时间
84 ns
输入电容值(Ciss)
1700pF @25V(Vds)
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
110W (Tc)

IRLR2905TRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLR2905TRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.22 MByte

IRLR2905 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR2905TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,55V,42A,27mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR2905PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 27 mohm, 10 V, 2 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,55V,42A,13.5mΩ@10V
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 2 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR2905ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 55V 42A
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