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IRLR3636PBF
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IRLR3636PBF 数据手册 (10 页)
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IRLR3636PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
漏源极电阻
6.8 mΩ
极性
N-Channel
功耗
143 W
零部件系列
IRLR3636
阈值电压
2.5 V
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
99.0 A
输入电容值(Ciss)
3779pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
143 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRLR3636PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRLR3636PBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.37 MByte
International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.12 MByte

IRLR3636 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR3636TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2.5 V 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR3636PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.8 mohm, 10 V, 2.5 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,60V,99A,8.3mΩ@4.5V
Infineon(英飞凌)
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3636TRLPBF, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 60V 50A
International Rectifier(国际整流器)
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