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IRLR3636TRPBF
0.469
IRLR3636TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRLR3636TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
143 W
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0054 Ω
极性
N-Channel
功耗
143 W
阈值电压
2.5 V
输入电容
3779 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
99A
上升时间
216 ns
输入电容值(Ciss)
3779pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
143 W
下降时间
69 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
143W (Tc)

IRLR3636TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLR3636TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.37 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRLR3636 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR3636TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2.5 V 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR3636PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.8 mohm, 10 V, 2.5 V
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,60V,99A,8.3mΩ@4.5V
Infineon(英飞凌)
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRLR3636TRLPBF, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 60V 50A
International Rectifier(国际整流器)
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