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IRLR3705ZPBF
0.364
IRLR3705ZPBF 数据手册 (11 页)
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IRLR3705ZPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
130 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.008 Ω
极性
N-CH
功耗
130 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
89A
上升时间
150 ns
输入电容值(Ciss)
2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
130 W
下降时间
70 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
130W (Tc)

IRLR3705ZPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLR3705ZPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.33 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.06 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

IRLR3705 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR3705ZTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.0065 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR3705ZPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
专为汽车应用,这HEXFET功率MOSFET Specifically designed for Automotive applications,this HEXFET Power MOSFET
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