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IRLR6225TRPBF
0.496
IRLR6225TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRLR6225TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
63 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0032 Ω
极性
N-Channel
功耗
63 W
零部件系列
IRLR6225
阈值电压
800 mV
输入电容
3770 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
100A
上升时间
37 ns
输入电容值(Ciss)
3770pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
63 W
下降时间
52 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
63W (Tc)

IRLR6225TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
7.49 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-50℃ ~ 150℃ (TJ)

IRLR6225TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRLR6225 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 20V 100A
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