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IRLR7843TRLPBF
0.898
IRLR7843TRLPBF 数据手册 (11 页)
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IRLR7843TRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
3.3 mΩ
极性
N-CH
功耗
140 W
阈值电压
2.3 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
连续漏极电流(Ids)
161A
上升时间
42 ns
输入电容值(Ciss)
4380pF @15V(Vds)
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
140W (Tc)

IRLR7843TRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLR7843TRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.35 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 3.97 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRLR7843 数据手册

Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
30V,161A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR7843PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR7843PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 161A, D-PAK 新
Infineon(英飞凌)
N沟道 30V 161A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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