IRLR8256PBF

￥ 0.144

IRLR8256PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRLR8256PBF 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 9 页

IRLR8256PBF 数据手册 (12 页)

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IRLR8256PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

63 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0042 Ω

极性

N-Channel

功耗

63 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

81A

上升时间

46 ns

输入电容值(Ciss)

1470pF @13V(Vds)

额定功率(Max)

63 W

下降时间

8.5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

63W (Tc)

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IRLR8256PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRLR8256PBF 符合标准

IRLR8256PBF 概述

IRLR8256PBF 数据手册

IRLR8256PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.27 MByte

IRLR8256PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLR8256PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.47 MByte

IRLR8256PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLR8256PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRLR8256PBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.56 MByte

IRLR8256 数据手册

IRLR8256 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRLR8256TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1.8 V

IRLR8256PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

IRLR8256PBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

N沟道 25V 81A

IRLR8256TRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

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