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IRLR8256TRPBF
0.23
IRLR8256TRPBF 数据手册 (10 页)
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IRLR8256TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
额定功率
63 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0042 Ω
极性
N-CH
功耗
63 W
阈值电压
1.8 V
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
81A
上升时间
46 ns
输入电容值(Ciss)
1470pF @13V(Vds)
额定功率(Max)
63 W
下降时间
8.5 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
63W (Tc)

IRLR8256TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLR8256TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IRLR8256 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 1.8 V
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 25V 81A
International Rectifier(国际整流器)
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