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IRLR8726TRLPBF
0.086
IRLR8726TRLPBF 数据手册 (11 页)
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IRLR8726TRLPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
极性
N-Channel
功耗
75 W
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
86A
上升时间
49 ns
输入电容值(Ciss)
2150pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
75 W
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
75W (Tc)

IRLR8726TRLPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRLR8726TRLPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.34 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.3 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.22 MByte

IRLR8726 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRLR8726PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V
Infineon(英飞凌)
N沟道,30V,86A,8mΩ@4.5V
International Rectifier(国际整流器)
IRLR8726TRPBF 编带
International Rectifier(国际整流器)
MOS(场效应管)/IRLR8726TRLPBF
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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