Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > International Rectifier(国际整流器) > IRLU024NPBF Datasheet 文档
IRLU024NPBF
0.216
IRLU024NPBF 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRLU024NPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
17.0 A
封装
TO-251-3
漏源极电阻
0.11 Ω
极性
N-Channel
功耗
45 W
零部件系列
IRLU024N
输入电容
480pF @25V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55 V
连续漏极电流(Ids)
17.0 A
上升时间
74.0 ns
输入电容值(Ciss)
480pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
45 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRLU024NPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
6.73 mm
高度
6.22 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRLU024NPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 1.53 MByte
International Rectifier(国际整流器)
11 页 / 0.16 MByte
International Rectifier(国际整流器)
27 页 / 1.55 MByte
International Rectifier(国际整流器)
7 页 / 0.17 MByte
International Rectifier(国际整流器)
10 页 / 0.29 MByte

IRLU024 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLU024NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 17A, IPAK 新
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Vishay Siliconix
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z