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IRLZ14PBF
0.259
IRLZ14PBF 数据手册 (9 页)
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IRLZ14PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
10.0 A
封装
TO-220
额定功率
43 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
43 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
上升时间
110 ns
输入电容值(Ciss)
400pF @25V(Vds)
下降时间
26 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
43 W

IRLZ14PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRLZ14PBF 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 1.01 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
9 页 / 1.12 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
3 页 / 0.14 MByte

IRLZ14 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
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Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 0.20ohm ,ID = 10A) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
N沟道 60V 10A
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