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IRLZ14SPBF
1.101

IRLZ14SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
漏源极电阻
200 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.7 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
7.20 A
上升时间
110 ns
输入电容值(Ciss)
400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.7 W
下降时间
26 ns

IRLZ14SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
2000

IRLZ14SPBF 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 0.37 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.38 MByte

IRLZ14 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 0.20ohm ,ID = 10A) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
N沟道 60V 10A
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