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IRS2001PBF
器件3D模型
2.242
IRS2001PBF 数据手册 (15 页)
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IRS2001PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
封装
DIP-8
额定功率
1 W
上升/下降时间
70ns, 35ns
输出接口数
2 Output
输出电压
200 V
输出电流
290.600 mA
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
功耗
1000 mW
下降时间(Max)
60 ns
上升时间(Max)
100 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IRS2001PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
10.92 mm
宽度
7.11 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRS2001PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 0.23 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

IRS2001 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2001SPBF..  双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2001PBF  双路驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRS2001PBF  芯片, MOSFET驱动器 , 高/低压侧, 200V, 8-DIP
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
芯片, 栅极驱动器, 高/低压侧, 16MLPQ
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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