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器件3D模型
¥ 0.845
IRS2005MTRPBF 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
封装:
VFQFN-14
描述:
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IRS2005MTRPBF 数据手册 (19 页)
封装尺寸
在
14 页
16 页
典型应用电路图
在
1 页
2 页
原理图
在
5 页
IRS2005MTRPBF 数据手册
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IRS2005MTRPBF 数据手册 (19 页)
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IRS2005MTRPBF 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
封装
VFQFN-14
上升/下降时间
70ns, 30ns
输出接口数
2 Output
针脚数
14 Position
功耗
2080 mW
下降时间(Max)
90 ns
上升时间(Max)
170 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2080 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V
查看数据手册 >
IRS2005MTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
IRS2005MTRPBF 符合标准
IRS2005MTRPBF 数据手册
IRS2005MTRPBF
数据手册
Infineon(英飞凌)
19 页 / 1.81 MByte
IRS2005MTRPBF
产品设计参考手册
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
IRS2005MTRPBF
其他数据使用手册
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
IRS2005MTRPBF
开发手册
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
IRS2005 数据手册
IRS2005
STRPBF
数据手册
Infineon(英飞凌)
MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 10 V至20 V电源, 0.6 A输出, 160 ns/150 ns开/关, SOIC-8
IRS2005
MTRPBF
数据手册
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
IRS2005
SPBF
数据手册
Infineon(英飞凌)
MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V至20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
IRS2005
S
数据手册
Infineon(英飞凌)
IRS2005
M
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