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IRS2005SPBF
器件3D模型
1.051
IRS2005SPBF 数据手册 (19 页)
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IRS2005SPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
70ns, 30ns
输出接口数
2 Output
输出电流
0.29 A
针脚数
8 Position
功耗
625 mW
下降时间(Max)
90 ns
上升时间(Max)
170 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IRS2005SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRS2005SPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
19 页 / 1.81 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte

IRS2005 数据手册

Infineon(英飞凌)
MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 10 V至20 V电源, 0.6 A输出, 160 ns/150 ns开/关, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
MOSFET驱动器, 高压侧和低压侧, 10V至20V电源, 600mA输出, 150ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
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