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IRS2108STRPBF
器件3D模型
1.406
IRS2108STRPBF 数据手册 (25 页)
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IRS2108STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
10.0V (min)
工作电压
10V ~ 20V
封装
SOIC-8
输出接口数
2 Output
输出电压
≥10.0 V
功耗
0.625 W
零部件系列
IRS2108
上升时间
220ns (Max)
下降时间
80ns (Max)
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
10V ~ 20V

IRS2108STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

IRS2108STRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
25 页 / 1.05 MByte

IRS2108 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2108SPBF.  芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 600mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS21084SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 高/低压侧, DIP-8 新
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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