Web Analytics
Datasheet 搜索 > FET驱动器 > Infineon(英飞凌) > IRS2108STRPBF Datasheet 文档
IRS2108STRPBF
器件3D模型
0.603
IRS2108STRPBF 数据手册 (25 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRS2108STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC-8
上升/下降时间
100ns, 35ns
输出接口数
2 Output
功耗
625 mW
下降时间(Max)
80 ns
上升时间(Max)
220 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 20V

IRS2108STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRS2108STRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
25 页 / 1.05 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte

IRS2108 数据手册

Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2108SPBF.  芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 600mA输出, 200ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS21084SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 高/低压侧, DIP-8 新
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z