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Datasheet 搜索 > FET驱动器 > International Rectifier(国际整流器) > IRS2111STRPBF Datasheet 文档
IRS2111STRPBF
器件3D模型
1.192
IRS2111STRPBF 数据手册 (16 页)
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IRS2111STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
20.0V (max)
封装
SOIC-8
输出接口数
2 Output
输出电压
≥10.0 V
功耗
625 mW
零部件系列
IRS2111
下降时间(Max)
65 ns
上升时间(Max)
130 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
625 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IRS2111STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

IRS2111STRPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
16 页 / 0.71 MByte

IRS2111 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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