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IRS2153DPBF
器件3D模型
1.012
IRS2153DPBF 数据手册 (15 页)
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IRS2153DPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
0.1 MHz
引脚数
8 Pin
电源电压
10.1V (min)
工作电压
10.1V ~ 16.8V
封装
DIP-8
输出接口数
2 Output
输出电压
625.3 V
输出电流
180 mA
功耗
1 W
零部件系列
IRS2153DPBF
上升时间
220ns (Max)
输出电压(Max)
625 V
输出电流(Max)
0.18 A
下降时间
80ns (Max)
下降时间(Max)
80 ns
上升时间(Max)
220 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
电源电压
10V ~ 15.4V
电源电压(Max)
16.8 V
电源电压(Min)
10.1 V

IRS2153DPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.92 mm
宽度
7.11 mm
高度
4.94 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

IRS2153DPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
15 页 / 0.32 MByte
International Rectifier(国际整流器)
15 页 / 0.33 MByte
International Rectifier(国际整流器)
1 页 / 0.07 MByte

IRS2153 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2153DPBF  双路驱动器, MOSFET, 半桥, 自-OSC, 10.1V-16.8V电源, 0.26A输出, 350ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
IC,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS21531DSPBF  双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10.1V-16.8V电源, 260mA输出, 350ns延迟, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS21531DPBF  双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10.1V-16.8V电源, 260mA输出, 350ns延迟, DIP-8
Infineon(英飞凌)
PWM(脉冲宽度调制)- FF(固定频率)IC,Infineon### 交流-直流功率转换,Infineon
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
International Rectifier(国际整流器)
600V,自激振荡的半桥式驱动IC
International Rectifier(国际整流器)
600V,自激振荡的半桥式驱动IC
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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