器件3D模型

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IRS2330DSTRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

SOIC-28

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRS2330DSTRPBF 数据手册 (39 页)

封装尺寸在34 页 35 页

典型应用电路图在1 页

原理图在7 页

IRS2330DSTRPBF 数据手册 (39 页)

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IRS2330DSTRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

28 Pin

封装

SOIC-28

上升/下降时间

80ns, 35ns

输出接口数

6 Output

功耗

1600 mW

下降时间(Max)

55 ns

上升时间(Max)

125 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

1600 mW

电源电压

10V ~ 20V

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IRS2330DSTRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRS2330DSTRPBF 符合标准

IRS2330DSTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

39 页 / 1.06 MByte

IRS2330DSTRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 7.29 MByte

IRS2330DSTRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IRS2330DSTRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.41 MByte

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MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)

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Infineon（英飞凌）

半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA

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半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA

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Infineon（英飞凌）

INFINEON IRS2330DSPBF 功率芯片, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 500ns延迟, SOIC-28

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Infineon（英飞凌）

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INFINEON IRS2330SPBF 功率芯片, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 500ns延迟, SOIC-28

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MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，三相，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)

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