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IRS2330STRPBF
器件3D模型
31639
IRS2330STRPBF 数据手册 (39 页)
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IRS2330STRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
28 Pin
封装
SOIC-28
上升/下降时间
80ns, 35ns
输出接口数
6 Output
功耗
1600 mW
下降时间(Max)
55 ns
上升时间(Max)
125 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1600 mW
电源电压
10V ~ 20V

IRS2330STRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
2.35 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRS2330STRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
39 页 / 1.06 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte

IRS2330 数据手册

Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
Infineon(英飞凌)
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
International Rectifier(国际整流器)
半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2330DSPBF  功率芯片, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 500ns延迟, SOIC-28
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2330SPBF  功率芯片, 3相桥接, 10V-20V电源, 500mA输出, 500ns延迟, SOIC-28
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
International Rectifier(国际整流器)
IRS2330DJPBF 双 MOSFET 功率驱动器, 500mA, 半桥, 反相, 44针 PLCC封装
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