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IRS2336DSPBF
器件3D模型
3.251
IRS2336DSPBF 数据手册 (49 页)
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IRS2336DSPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
28 Pin
电源电压
10.0V (min)
封装
SOIC-28
额定功率
1.6 W
上升/下降时间
125ns, 50ns
输出接口数
6 Output
输出电压
10V ~ 20V
输出电流
200 mA
通道数
6 Channel
针脚数
28 Position
功耗
1.6 W
静态电流
4 mA
上升时间
125 ns
下降时间
50 ns
下降时间(Max)
75 ns
上升时间(Max)
190 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1600 mW
电源电压
10V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
10 V

IRS2336DSPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
18.1 mm
宽度
7.6 mm
高度
2.35 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRS2336DSPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
49 页 / 0.96 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 7.29 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.1 MByte

IRS2336 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS23364DJPBF  驱动器芯片, 高压侧和低压侧, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, LCC-44
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS23364DSPBF  驱动器芯片, 3相桥接, 11.5V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, SOIC-28
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS2336DSPBF  双路芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, SOIC-28
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
Infineon(英飞凌)
MOSFET驱动器, 3相桥, 10V至20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, MLPQ-34
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
门驱动器 600V 3Phs Drvr IC w/Intgr BSF & Prot
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
MOSFET驱动器, 3相桥, 10V至20V电源, 350mA输出, 530ns延迟, WSOIC-28
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