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IRS4427PBF
器件3D模型
1.365
IRS4427PBF 数据手册 (14 页)
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IRS4427PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
8 Pin
电源电压
6.00V (min)
封装
DIP-8
上升/下降时间
25 ns
输出接口数
2 Output
针脚数
8 Position
功耗
1 W
零部件系列
IRS4427PBF
上升时间
55 ns
下降时间
55 ns
下降时间(Max)
55 ns
上升时间(Max)
55 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW
电源电压
6V ~ 20V
电源电压(Max)
20 V
电源电压(Min)
6 V

IRS4427PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.92 mm
宽度
7.11 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

IRS4427PBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.25 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.09 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.17 MByte

IRS4427 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS44273LTRPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 低压侧, NSOIC-8 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS4427STRPBF  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT 驱动器, 低压侧, SOT-23-5 新
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRS4427PBF  芯片, IGBT/MOSFET驱动器, 50NS, DIP-8
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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