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IS42S16400J-7TL
器件3D模型
1.637
IS42S16400J-7TL 数据手册 (60 页)
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IS42S16400J-7TL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
54 Pin
封装
TSOP-54
供电电流
90 mA
时钟频率
143 MHz
位数
16 Bit
存取时间
5.4 ns
存取时间(Max)
5.4 ns
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
电源电压
3V ~ 3.6V

IS42S16400J-7TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
0℃ ~ 70℃

IS42S16400J-7TL 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
60 页 / 1.42 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
1 页 / 0.03 MByte

IS42S16400J7 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S16400J-7TLI-TR 编带
Integrated Silicon Solution(ISSI)
SDRAM, 4M x 16bit, 5.4ns, 并行接口, BGA-54
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 64M,3.3V,S动态随机存取存储器,4Mx16 143 Mhz,60 ball BGA
Integrated Silicon Solution(ISSI)
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