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Datasheet 搜索 > 存储芯片 > Integrated Silicon Solution(ISSI) > IS43R16320D-6BLI Datasheet 文档
IS43R16320D-6BLI
8.997

IS43R16320D-6BLI 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
60 Pin
封装
BGA-60
供电电流
370 mA
位数
16 Bit
存取时间
700 ps
存取时间(Max)
0.7 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.3V ~ 2.7V
电源电压(Max)
2.7 V
电源电压(Min)
2.3 V

IS43R16320D-6BLI 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

IS43R16320D-6BLI 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
33 页 / 0.99 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
34 页 / 1.03 MByte

IS43R16320D6 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
SDRAM, 32M​​ x 16bit, 700ps, 并行接口, TSOP-II-66
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 166MHz DDR 2.5v
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Samsung(三星)
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