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IS61C256AL-12TLI
器件3D模型
1.002
IS61C256AL-12TLI 数据手册 (11 页)
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IS61C256AL-12TLI 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
28 Pin
电源电压
5.00 V, 5.50 V (max)
工作电压
5 V
封装
TSOP-28
供电电流
40 mA
针脚数
28 Position
位数
8 Bit
存取时间
12 ns
内存容量
32000 B
存取时间(Max)
12 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
4.5 V

IS61C256AL-12TLI 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
8.1 mm
宽度
11.9 mm
高度
1 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

IS61C256AL-12TLI 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
11 页 / 0.5 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
2 页 / 0.04 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
13 页 / 0.1 MByte

IS61C256AL12 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS61C256AL-12JLI  芯片, 存储器, SRAM, 256KB, 12NS, SOJ-28
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 256K,High-Speed,Async,32K x 8,12ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
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