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IS61WV25616BLL-10BLI
器件3D模型
2.63
IS61WV25616BLL-10BLI 数据手册 (21 页)
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IS61WV25616BLL-10BLI 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
48 Pin
封装
BGA-48
供电电流
45 mA
针脚数
48 Position
位数
16 Bit
存取时间
10 ns
存取时间(Max)
10 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.4V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.4 V

IS61WV25616BLL-10BLI 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
8.1 mm
宽度
6.1 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

IS61WV25616BLL-10BLI 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
21 页 / 0.2 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
2 页 / 0.04 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
17 页 / 0.77 MByte

IS61WV25616BLL10 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
芯片
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 256K x 16 Async 静态随机存取存储器
Integrated Silicon Solution(ISSI)
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