器件3D模型

￥ 5.339

IS61WV51216EDBLL-10TLI 数据手册 - Integrated Silicon Solution(ISSI)

制造商:

Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类:

存储芯片

封装:

TSOP-44

描述:

512K x 16 SRAM高速异步CMOS静态RAM存储带有ECC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IS61WV51216EDBLL-10TLI 数据手册 (19 页)

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封装尺寸在18 页 19 页

原理图在1 页

IS61WV51216EDBLL-10TLI 数据手册 (19 页)

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IS61WV51216EDBLL-10TLI 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

44 Pin

工作电压

2.4V ~ 3.6V

封装

TSOP-44

供电电流

50 mA

针脚数

44 Position

位数

16 Bit

存取时间

10 ns

存取时间(Max)

10 ns

工作温度(Max)

85 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

2.4V ~ 3.6V

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IS61WV51216EDBLL-10TLI 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-40℃ ~ 85℃ (TA)

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IS61WV51216EDBLL-10TLI 符合标准

IS61WV51216EDBLL-10TLI 海关信息

IS61WV51216EDBLL-10TLI 概述

IS61WV51216EDBLL-10TLI 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

19 页 / 0.57 MByte

IS61WV51216EDBLL-10TLI 其他数据使用手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

20 页 / 0.84 MByte

IS61WV51216EDBLL-10TLI 产品手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

20 页 / 0.19 MByte

IS61WV51216EDBLL10 数据手册

IS61WV51216EDBLL-10TLI 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

512K x 16 SRAM高速异步CMOS静态RAM存储带有ECC

IS61WV51216EDBLL-10BLI 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

SRAM, 8 Mbit, 512K x 16位, 2.4V 至 3.6V, BGA, 48 引脚, 10 ns

IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)

静态随机存取存储器 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych 静态随机存取存储器

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