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器件3D模型
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IS61WV5128BLL-10BI 数据手册 - Integrated Silicon Solution(ISSI)
制造商:
Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类:
RAM芯片
封装:
BGA-36
描述:
静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IS61WV5128BLL-10BI 数据手册 (25 页)
引脚图
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封装尺寸
在
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22 页
原理图
在
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IS61WV5128BLL-10BI 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
36 Pin
封装
BGA-36
位数
8 Bit
存取时间
10 ns
存取时间(Max)
10 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.4V ~ 3.6V
查看数据手册 >
IS61WV5128BLL-10BI 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
查看数据手册 >
IS61WV5128BLL-10BI 符合标准
IS61WV5128BLL-10BI 数据手册
IS61WV5128BLL-10BI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
25 页 / 0.53 MByte
IS61WV5128BLL-10BI
其他数据使用手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
20 页 / 0.18 MByte
IS61WV5128BLL10 数据手册
IS61WV5128BLL-10TLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
IS61WV5128BLL-10BLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS61WV5128BLL-10KLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS61WV5128BLL-10TLI-TR
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS61WV5128BLL-10TL
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS61WV5128BLL-10TL 托盘
IS61WV5128BLL-10BI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
IS61WV5128BLL-10KLI-TR
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
IS61WV5128BLL-10BLI-TR
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS61WV5128BLL-10BI-TR
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Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 4M (512Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
IS61WV5128BLL-10TLI
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