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IS62C1024AL-35QLI-TR
器件3D模型
1.295
IS62C1024AL-35QLI-TR 数据手册 (11 页)
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IS62C1024AL-35QLI-TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
32 Pin
电源电压
5.00 V, 5.50 V (max)
封装
SOP-32
位数
8 Bit
存取时间
35 ns
内存容量
1000000 B
存取时间(Max)
35 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
4.5 V

IS62C1024AL-35QLI-TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

IS62C1024AL-35QLI-TR 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
11 页 / 0.27 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
2 页 / 0.04 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
12 页 / 0.27 MByte

IS62C1024AL35 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS62C1024AL-35TLI  存储芯片, SRAM, 1MBIT, 35NS, TSOP-32
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async 静态随机存取存储器 5v
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async 静态随机存取存储器 5v
Samsung(三星)
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