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Datasheet 搜索 > RAM芯片 > Integrated Silicon Solution(ISSI) > IS62WV51216BLL-55TLI Datasheet 文档
IS62WV51216BLL-55TLI
器件3D模型
7.255
IS62WV51216BLL-55TLI 数据手册 (16 页)
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IS62WV51216BLL-55TLI 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
44 Pin
电源电压
3.30 V, 3.60 V (max)
工作电压
3.3 V
封装
TSOP-44
针脚数
44 Position
位数
16 Bit
存取时间
55 ns
内存容量
1000000 B
存取时间(Max)
55 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.5V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.5 V

IS62WV51216BLL-55TLI 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
18.52 mm
宽度
10.29 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

IS62WV51216BLL-55TLI 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
16 页 / 0.18 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
2 页 / 0.04 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
16 页 / 0.52 MByte
Integrated Silicon Solution(ISSI)
16 页 / 0.12 MByte

IS62WV51216BLL55 数据手册

Integrated Silicon Solution(ISSI)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)  IS62WV51216BLL-55TLI  存储芯片, SRAM, 512K X 16, 3V, 55NS, 44TSOP2
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 55ns Async 静态随机存取存储器
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 55ns 2.5v/3.6v
Integrated Silicon Solution(ISSI)
Integrated Silicon Solution(ISSI)
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