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ISO5851DW
器件3D模型
6.408
ISO5851DW 数据手册 (34 页)
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ISO5851DW 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
3.00V (min)
封装
SOIC-16
上升/下降时间
20 ns
输出接口数
1 Output
输出电压
15V ~ 30V
输出电流
3.6 mA
通道数
1 Channel
针脚数
16 Position
功耗
700 mW
上升时间
20 ns
隔离电压
5700 Vrms
下降时间
20 ns
下降时间(Max)
20 ns
上升时间(Max)
20 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
700 mW
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
3 V

ISO5851DW 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Each
长度
10.5 mm
宽度
7.6 mm
高度
2.65 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

ISO5851DW 数据手册

TI(德州仪器)
34 页 / 1.77 MByte
TI(德州仪器)
2 页 / 0.29 MByte

ISO5851 数据手册

TI(德州仪器)
ISO5851 2.5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ISO5851DW  芯片, 场效应管, MOSFET/晶体管, IGBT驱动器, 反相/非反相, WSOIC16
TI(德州仪器)
具有保护功能的 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
TI(德州仪器)
MOSFET & IGBT驱动器, AEC-Q100, 3 V至5.5 V电源, 2.5 A & 5 A输出, 110 ns继电器, SOIC-16
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  ISO5851EVM  评估板, 隔离IGBT驱动器, 2.5A源/5A漏加强驱动器
TI(德州仪器)
具有保护功能的汽车类 2.5A/5A、5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125
TI(德州仪器)
ISO5851-Q1 高 CMTI 2.5A/5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器,具有有源安全
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