●ISO5852S-Q1 器件是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器，具有分离输出（OUTH 和 OUTL）以及 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 2.25V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。中的文本由“3V 至 5.5V 单电源”更改为“2.25V 至 5.5V 单电源”中的文本由“IGBT 处于过载状态”更改为“IGBT 处于过流状态”
●内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过流状态。检测到 DESAT 时，静音逻辑会立即阻断隔离器输出，并启动软关断过程以禁用 OUTH 引脚并将 OUTL 引脚拉至低电平持续 2μs。当 OUTL 引脚达到 2V 时（相对于最大负电源电势 VEE2），栅极驱动器会被“硬”拉至 VEE2 电势，从而立即将 IGBT 关断。已将中的文本由“并降低 OUTL 的电压持续 2μs 以上”更改为“并将 OUTL 拉至低电平持续 2μs”
●当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。静音逻辑在软关断期间激活。FLT 的输出状态将被锁存，并只能在 RDY 引脚变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。已更改的第 3 段
●如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT，输出电压会被硬钳位为 VEE2。如果输出电源为单极，那么可采用有源米勒钳位，这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流，从而防止 IGBT 在高电压瞬态状态下发生动态导通。
●栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足，RDY 输出会变为低电平，否则该输出为高电平。
●ISO5852S-Q1 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装. 此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 +125°C。
● 适用于汽车电子 应用
● 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
● 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
● 器件人体模型 (HBM) 分类等级 3A
● 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C6
● VCM = 1500V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/μs
● 分离输出，可提供 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
● 短暂传播延迟：76ns（典型值），
●110ns（最大值）
● 2A 有源米勒钳位
● 输出短路钳位
● 短路期间的软关断 (STO)
● 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警，并通过 RST 复位
● 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
● 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
● 2.25V 至 5.5V 输入电源电压
● 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
● 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
● 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
● 可承受的浪涌隔离电压达 12800VPK ”
● 安全相关认证：
● 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增强型隔离
● 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 VRMS 隔离
● CSA 组件验收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
● 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
● GB4943.1-2011 CQC 认证
● 已通过 UL、VDE、CQC、TUV 认证并规划进行 CSA 认证
●## 应用
● 隔离式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动器：
● 混合动力汽车 (HEV) 和电动车 (EV) 电源模块
● 工业电机控制驱动
● 工业电源
● 太阳能逆变器
● 感应加热
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