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ISP752TFUMA1
0.954
ISP752TFUMA1 数据手册 (18 页)
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ISP752TFUMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PG-DSO-8
输出接口数
1 Output
输出电流
1.3 A
供电电流
0.8 mA
针脚数
8 Position
功耗
1.5 W
输出电流(Max)
1.3 A
输出电流(Min)
1.3 A
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-30 ℃
耗散功率(Max)
1500 mW
输入电压
52 V

ISP752TFUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.45 mm
工作温度
-30℃ ~ 85℃ (TA)

ISP752TFUMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
18 页 / 0.28 MByte
Infineon(英飞凌)
138 页 / 12.05 MByte
Infineon(英飞凌)
150 页 / 0.62 MByte
Infineon(英飞凌)
48 页 / 2 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

ISP752 数据手册

Infineon(英飞凌)
PROFET™ 智能高侧电源开关,单通道,Infineon过载保护 电流限制 短路保护 热关闭 过电压保护 静电放电 (ESD) 保护 ### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。
Infineon(英飞凌)
PROFET™ 智能高侧电源开关,单通道,Infineon过载保护 电流限制 短路保护 热关闭 过电压保护 静电放电 (ESD) 保护 ### 电源和负载开关,Toshiba集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征,如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管,以最小化功耗并保持高效率。
Infineon(英飞凌)
INFINEON  ISP752RFUMA1  电源负载开关, SIPMOS技术, 高压侧, 1路输出, 16V, 4.5A, SOIC-8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  ISP752TFUMA1  电源负载开关, SIPMOS技术, 高压侧, 高电平有效, 1路输出, 52V, SOIC-8
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