IXBH40N160

￥ 17.011

IXBH40N160 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

描述:

N-沟道 1600 V 40 A 法兰安装高压 BiMosFET - TO-247AD

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXBH40N160 数据手册 (4 页)

IXBH40N160 数据手册 (4 页)

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IXBH40N160 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.60 kV

额定电流

33.0 A

封装

TO-247-3

极性

N-Channel

功耗

350 W

上升时间

60.0 ns

击穿电压(集电极-发射极)

1600 V

额定功率(Max)

350 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350000 mW

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IXBH40N160 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.26 mm

宽度

5.3 mm

高度

21.46 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXBH40N160 符合标准

IXBH40N160 海关信息

IXBH40N160 数据手册

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IXYS Semiconductor

4 页 / 0.07 MByte

IXBH40N160 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.05 MByte

IXBH40 数据手册

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N-沟道 1600 V 40 A 法兰安装高压 BiMosFET - TO-247AD

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