IXBT42N170A

￥ 27.255

IXBT42N170A 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-268-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXBT42N170A 数据手册 (6 页)

IXBT42N170A 数据手册 (6 页)

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IXBT42N170A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-268-3

功耗

357000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

1700 V

反向恢复时间

330 ns

额定功率(Max)

357 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

357000 mW

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IXBT42N170A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.05 mm

宽度

14 mm

高度

5.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXBT42N170A 符合标准

IXBT42N170A 数据手册

IXBT42N170A 数据手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.23 MByte

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