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IXDD609SIA
器件3D模型
0.854
IXDD609SIA 数据手册 (14 页)
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IXDD609SIA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
上升/下降时间
22ns, 15ns
输出接口数
1 Output
输出电流
2 A
上升时间
22 ns
输出电流(Max)
2 A
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
电源电压
4.5V ~ 35V
电源电压(Max)
35 V
电源电压(Min)
4.5 V

IXDD609SIA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXDD609SIA 数据手册

IXYS Semiconductor
14 页 / 0.3 MByte
IXYS Semiconductor
7 页 / 0.29 MByte

IXDD609 数据手册

IXYS Semiconductor
低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A
IXYS Semiconductor
IXDD609 系列 9 A 35 V 表面贴装 低压侧 超快 Mosfet 驱动器 - SOIC-8
IXYS Semiconductor
IXDD609SIA 系列 9 A 低压侧 超快速 Mosfet 驱动器 - SOIC-8
IXYS Semiconductor
IXD 系列 单 低压侧 9 A 超快 MosFet 驱动器 通孔 - DIP-8
IXYS Semiconductor
低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A
IXYS Semiconductor
IXDD609 系列 单 35 V 9 A 表面贴装 低边 驱动器 - TO-263-5
IXYS Semiconductor
门驱动器 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
IXYS Semiconductor
低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A
Littelfuse(力特)
低边 MOSFET 灌:9A 拉:9A
Littelfuse(力特)
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