器件3D模型

￥ 0.805

IXDN602D2TR 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

FET驱动器

封装:

DFN-8

描述:

低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXDN602D2TR 数据手册 (13 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在11 页 13 页

原理图在6 页

IXDN602D2TR 数据手册 (13 页)

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IXDN602D2TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

DFN-8

上升/下降时间

7.5ns, 6.5ns

输出接口数

2 Output

下降时间(Max)

15 ns

上升时间(Max)

15 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

4.5V ~ 35V

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IXDN602D2TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXDN602D2TR 符合标准

IXDN602D2TR 概述

IXDN602D2TR 数据手册

IXYS Semiconductor

13 页 / 0.29 MByte

IXDN602D2TR 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

12 页 / 0.59 MByte

IXDN602D2 数据手册

IXDN602D2TR 数据手册

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低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

IXDN602D2TR 数据手册

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