IXEN60N120D1

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IXEN60N120D1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXEN60N120D1 数据手册 (7 页)

IXEN60N120D1 数据手册 (7 页)

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IXEN60N120D1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

额定功率

445 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

3.8nF @25V

额定功率(Max)

445 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

40 ℃

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IXEN60N120D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

38.23 mm

宽度

25.42 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXEN60N120D1 符合标准

IXEN60N120D1 概述

IXEN60N120D1 数据手册

IXEN60N120D1 数据手册

IXYS Semiconductor

7 页 / 0.21 MByte

IXEN60N120D1 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

8 页 / 0.19 MByte

IXEN60N120 数据手册

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