￥ 18.872

IXFB110N60P3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-264-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFB110N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 110 A, 600 V, 0.056 ohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFB110N60P3 数据手册 (6 页)

封装尺寸在2 页 4 页

IXFB110N60P3 数据手册 (6 页)

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IXFB110N60P3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.056 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.89 kW

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

110A

上升时间

30 ns

输入电容值(Ciss)

18000pF @25V(Vds)

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1890W (Tc)

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IXFB110N60P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

20.29 mm

宽度

5.31 mm

高度

26.59 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFB110N60P3 符合标准

IXFB110N60P3 概述

IXFB110N60P3 数据手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.13 MByte

IXFB110N60P3 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.13 MByte

IXFB110N60 数据手册

IXFB110N60P3 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR IXFB110N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 110 A, 600 V, 0.056 ohm, 10 V, 5 V

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