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IXFH15N100Q3
13.527
IXFH15N100Q3 数据手册 (5 页)
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IXFH15N100Q3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
极性
N-CH
功耗
690 W
输入电容
3250 pF
漏源极电压(Vds)
1000 V
连续漏极电流(Ids)
15A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
3250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
690 W
下降时间
8 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
690W (Tc)

IXFH15N100Q3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
16.26 mm
宽度
5.3 mm
高度
16.26 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFH15N100Q3 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.12 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.12 MByte

IXFH15N100 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH15N100  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 4.5 V
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
IXYS Semiconductor
IXYS Semiconductor
Littelfuse(力特)
IXYS Semiconductor
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