￥ 8.44

IXFH21N50Q 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFH21N50Q 数据手册 (4 页)

IXFH21N50Q 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

极性

N-CH

功耗

280W (Tc)

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

21A

输入电容值(Ciss)

3000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

280W (Tc)

查看数据手册 >

IXFH21N50Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Last Time Buy

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXFH21N50Q 符合标准

IXFH21N50Q 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.54 MByte

IXFH21N50Q 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

13 页 / 0.46 MByte

IXFH21N50 数据手册

IXYS Semiconductor

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH21N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

IXFH21N50Q 数据手册

IXYS Semiconductor

IXFH21N50F 数据手册

IXYS Semiconductor

IXYS RF IXFH21N50F 晶体管, 射频FET, 500 V, 21 A, 300 W, 500 kHz, TO-247AD

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号