IXFH26N50P

￥ 5.069

IXFH26N50P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFH26N50P 数据手册 (5 页)

IXFH26N50P 数据手册 (5 页)

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IXFH26N50P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

26.0 A

封装

TO-247-3

漏源极电阻

230 mΩ

极性

N-Channel

功耗

400 W

输入电容

3.60 nF

栅电荷

60.0 nC

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

26.0 A

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

3600pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

400 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

400W (Tc)

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IXFH26N50P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

16.26 mm

宽度

5.3 mm

高度

21.46 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH26N50P 符合标准

IXFH26N50P 概述

IXFH26N50P 数据手册

IXFH26N50P 数据手册

IXYS Semiconductor

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