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IXFH50N60X
9.5
IXFH50N60X 数据手册 (6 页)
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IXFH50N60X 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
功耗
660W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
输入电容值(Ciss)
4660pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
660W (Tc)

IXFH50N60X 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFH50N60X 数据手册

IXYS Semiconductor
6 页 / 0.18 MByte

IXFH50N60 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH50N60P3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 5 V
IXYS Semiconductor
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