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IXFH52N30P
12.731
IXFH52N30P 数据手册 (5 页)
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IXFH52N30P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
功耗
400 W
漏源极电压(Vds)
300 V
输入电容值(Ciss)
3490pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
400W (Tc)

IXFH52N30P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
16.26 mm
宽度
5.3 mm
高度
21.46 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXFH52N30P 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.17 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.18 MByte

IXFH52N30 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH52N30Q  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 52 A, 300 V, 60 mohm, 10 V, 4 V
IXYS Semiconductor
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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